Elektrische Energie, Elektronen und Löcher im täglichen Leben – Bericht aus dem Fachbereich Q1 der ETG „Leistungselektronik”
Jedermann nutzt sie täglich, aber kaum ein Nichtfachmann weiß darum – elektrische Energie, die über Leistungselektronik umgeformt wurde, z. B. im Rechner-Netzteil von Netz-Wechselspannung in niedrige Gleichspannung oder in (fast) jeder elektrischen Bahn zur Regelung des Fahrantriebs. Elektrofahrzeuge für die Straße (siehe Bild) nutzen dementsprechend Leistungselektronik u. a. für Batterieladung und Antriebsregelung, und nicht zuletzt steigt auch der Anteil an elektrischer Energie im Netz, die über Stromrichter eingespeist wurde, namentlich über Photovoltaik-Wechselrichter und Umrichter von Windkraftanlagen.
Konsequenterweise zählt es zu den Aufgaben des Fachbereiches Q1 „Leistungselektronik”, zusammen mit anderen Akteuren auf diesem Gebiet die zumeist inneren Werte verschiedenster Produkte, für die die Leistungselektronik bürgt, auch nach außen darzustellen. Dies ist nicht nur wesentlich, um Nachwuchs an Ingenieuren der Elektrotechnik zu gewinnen und als Spezialisten der Leistungselektronik auszubilden, sondern auch, um Forschung in Industrie und Universitäten zu fördern, die die Grundlagen für neue Produkte legt, deren Alleinstellungsmerkmale im Wettbewerb auf Leistungselektronik basieren.
Die technischen Aktivitäten des Fachbereiches konzentrieren sich auf den fachlichen Austausch im Rahmen von Tagungen und Workshops, über deren Inhalte regelmäßig in den ETG-Mitgliederinformationen berichtet wird. Sie decken einen weiten Bereich von Leistungshalbleiter-Bauelementen (siehe Bild) über deren Anwendungen – z. B. in der elektrischen Antriebstechnik – bis hin zu Endprodukten – wie Elektrofahrzeugen (siehe Bild) – ab, weshalb sie vielfach auch in Kooperation mit anderen Fachbereichen der ETG und auch darüber hinaus, beispielsweise mit der Power Electronics Society (PELS) des IEEE, ausgerichtet werden.
Die Arbeit des Fachbereiches tragen langjährig Aktive und Nachwuchs aus Wirtschaft und Wissenschaft als Mitglieder und Gäste; für ihr vielfältiges Engagement sei ihnen an dieser Stelle herzlich gedankt.
Vergleich des Abschaltverhaltens einer schnellen, bipolaren Silizium-Diode sowie einer Silizium-Karbid-Schottky-Diode bei induktiver Last (Messung; Bild: N. Kaminski)
