Wie sieht es aus mit der europäischen Unabhängigkeit in der Halbleiterelektronik?

Herr Dr. Behammer hat nach dem Physikstudium an der RWTH Aachen mit dem Studienschwerpunkt experimentelle Festkörperphysik an der Ruhr Universität Bochum zum Thema „Niedertemperaturtechnologien zur Herstellung von skalierfähigen Si/SiGe/Si-Heterobipolartransistoren“ promoviert. Zwischen 1996 und 2000 war Herr Behammer wissenschaftlicher Mitarbeiter in der Abteilung Si Bauelemente und Prozesse im DaimlerChrysler Forschungszentrum Ulm. Seit 2000 arbeitet er bei der United Monolithic Semiconductors GmbH in Ulm und ist aktuell Leiter des Bereichs Front-End-Production und damit verantwortlich für die komplette GaAs- und GaN-Waferproduktion.

Im Rahmen der VDE Veranstaltung zur Urkundenverleihung an Herrn Prof. Dr.-Ing. Peter Abele als Vertrauensdozent findet der Vortrag von Herrn Dr. Behammer statt.