Süddeutsche Apparatefabrik_Bild 1
2014 Norbert Gilson
14.07.2020

Süddeutsche Apparatefabrik GmbH

Platenstraße 66, 90441 Nürnberg

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VDE-Ausschuss Geschichte der Elektrotechnik

Die 1930 gegründete und bereits 1954 als eigenständiges Unternehmen durch Fusion wieder verschwundene Süddeutsche Apparatefabrik GmbH (S.A.F.) spielte nach dem Zweiten Weltkrieg für wenige Jahre eine bedeutende Rolle in der deutschen Halbleiterentwicklung. Der erste in Deutschland industriell gefertigte Spitzenkontakt-Germanium-Transistor, im Dezember 1952 vorgestellt, kam von  S.A.F. Ein marktfähiges Produkt auf Siliziumbasis zu entwickeln gelang allerdings nicht, so dass die Halbleiterforschung bei S.A.F. Ende der 1950er Jahre eingestellt wurde.


Beschreibung

 

erbaut: Ende 1920er Jahre (?)

Ende 1929 entschloss sich die in Nürnberg ansässige Süddeutsche Telefon-Apparate-, Kabel- und Drahtwerke AG (TeKaDe), ihre Apparateabteilung zu verkaufen. Aufgrund von Patenschwierigkeiten hatte die TeKaDe auf dem Nachrichtenvermittlungsgebiet der Deutschen Reichspost immer stärker an Boden verloren. Außerdem hatte sich 1927/28 die Behördenaufträge stark rückläufig entwickelt, so dass die Konkurrenz der Großfirmen immer drückender wurde. Daher fiel die Entscheidung, den Bereich Vermittlungstechnik einschließlich Ämterbau in eine zusammen mit der  Standard Elektrizitäts-Gesellschaft AG (SEG) neu gegründete Gesellschaft einzubringen. Man hoffte auf diese Weise, von dem großen amerikanischen Patentbesitz - einer der Mutterkonzerne der SEG war die  International Telephone and Telegraph Corporation (ITT) - und den Entwicklungskapazitäten profitieren zu können. Zum 1. Januar 1930 entstand damit die Süddeutsche Apparatefabrik GmbH S.A.F.

Verwaltung und Fertigung des neuen Unternehmens blieben zunächst in den bisherigen Räumen auf dem Grundstück der TeKaDe in der Allersberger Straße. 1933 zog die Firma zunächst mietweise in die Werksanlagen in der Platenstraße 66. Die im Stil der Neuen Sachlichkeit an der Ecke Platenstraße / Löffelholzstraße errichteten Bauten stammen vermutlich aus den späten 1920er Jahren. Sie wurden später von der S.A.F. erworben. Nachdem die SEG in den Jahren zwischen 1930 und 1933 ihr gesamtes Aktienkapital eingebüßt hatte, wurde der Bereich Vermittlungstechnik wieder zurück in die TeKaDe eingegliedert. Das Produktionsprogramm der S.A.F. umfasste jetzt passive Bauteile für die Nachrichtentechnik (Widerstände, Elektrolyt-Kondensatoren, Selen-Gleichrichter), es wurden aber auch komplette Netzgeräte mit Gleichrichtung gefertigt. Vor allem die Leistungsgleichrichter auf Selenbasis erwiesen sich als großer Erfolg in der Produktion. Mit dem Wiederaufbau nach dem Zweiten Weltkrieg wurde man sich auch bei der S.A.F. der zunehmenden Bedeutung der neuen Halbleitermaterialien Germanium und Silizium bewusst. Ende 1948 wurde Karl Seiler, einer der führenden Halbleiterexperten in Deutschland, als Leiter des neu eingerichteten »Forschungs- und Entwicklungslabors für Halbleiter und Transistoren« engagiert. Als Ergebnis der intensiven Entwicklungstätigkeit wurden um 1950 erstmals Germanium-Dioden hergestellt, zum Beispiel die Typen »DS 80« oder »DS 601«. Auch der erste in Deutschland industriell gefertigte Spitzenkontakt-Germanium-Transistor »VS 200« kam von der S.A.F. und wurde im Dezember 1952 vorgestellt.

Gegenüber den Punktkontakt-Transistoren, deren Herstellung ein hohes Maß an Handarbeit erforderte, erschienen die Bauelemente mit pn-Übergängen als wesentlich besser geeignet für eine preisgünstige Massenproduktion. Seit Anfang der 1950er Jahre experimentierte man im Labor der S.A.F. mit solchen flächenhaften pn-Übergängen. Trotz erfolgreicher Anwendung des Czochralski-Verfahrens bei anderen Unternehmen fiel die Entscheidung bei S.A.F. zugunsten der alternativen Methode, des Legierungsverfahrens, das man als den einfacheren Weg zur Herstellung von pn-Übergängen ansah. 1954 brachte S.A.F. unter der Bezeichnung »DF 450« den ersten in Deutschland gezeigten Germanium-Flächengleichrichter auf den Markt.  Seit 1955 fanden sich auch pnp-Flächentransistoren der Serie »OC 110« bis »OC 130«, im Lieferprogramm.

Wegen der starken Temperaturabhängigkeit des Sperrvermögens von Germanium funktionierten Leistungsgleichrichter auf der Basis dieses Werkstoffs nur bis 60°C und kamen ohne Fremdkühlung nicht aus. Anfang der 1950er Jahre begannen daher im Labor der S.A.F. Versuche zur Herstellung von Bauelementen auf Silizium-Basis. Im Vergleich zu Germanium besaß Silizium allerdings eine höhere Schmelztemperatur, so dass an die Produktion reiner Silizium-Einkristalle höhere Anforderungen gestellt waren als bei Germanium. Zwar waren die Laborversuche zur Herstellung von pn-Übergängen in Silizium erfolgreich, eine Überführung in marktfähige Produkte auf Siliziumbasis gelang jedoch bei  S.A.F. offenbar nicht. Lediglich Punktkontakt-Dioden aus Silizium wurden 1956 bei S.A.F. produziert. In diesem Jahr verließ Karl Seiler das Unternehmen und wechselte zur 1952 in Düsseldorf gegründeten  Intermetall - Gesellschaft für Metallurgie, die soeben von der amerikanischen Clevite Corp. erworben worden war. Vermutlich hing es auch mit dieser Entwicklung zusammen, dass die Transistorfertigung bei  S.A.F. Ende der 1950er Jahre eingestellt wurde.

Organisatorisch gehörte die S.A.F. seit 1934 zur ITT, die die frühere SEG nun als Führungsholding ihrer deutschen Beteiligungen weiter betrieb. 1954 wurde die S.A.F. mit der Mix & Genest AG verschmolzen und 1958 wurde sie ein Tochterunternehmen der durch mehrere Fusionen neu entstandenen Standard Elektrik Lorenz AG (SEL) einer Tochtergesellschaft der ITT. Zu Beginn der 1970er Jahre wurde die ehemalige S.A.F. dann unter dem Namen ITT Bauelemente GmbH weitergeführt. Als SEL 1987 in die neu gegründete Alcatel überführt wurde, ging auch die ITT Bauelemente GmbH an Alcatel über. Damit verlieren sich die Spuren dieses in den 1950er Jahren bedeutenden deutschen Halbeiterherstellers.

Informationsstand: 10.02.2018
Schlagworte: Nachrichtengerätebau; Werkstoffe; Halbleiter-Werkstoffe; Geschichte der Elektro- und Informationstechnik; Informations- und Kommunikationstechnik (IKT)
Stichworte: Süddeutsche Apparate-Fabrik GmbH; SAF; Standard Elektrizitäts-Gesellschaft AG; SEG; ITT Bauelemente GmbH; International Telephone and Telegraph Corporation; ITT; TeKaDe; Neue Sachlichkeit; Platenstraße; Löffelholzstraße; passive Bauteile; Nachrichtentechnik; Elektrolytkondensator; Selen-Gleichrichter; Netzgerät; Gleichrichtung; Vermittlungstechnik; Ämterbau; Leistungsgleichrichter; Selen; Halbleitermaterial; Germanium; Silizium; Karl Seiler; Halbleiterexperte; Forschungs- und Entwicklungslabor für Halbleiter und Transistoren; Germaniumdiode; Spitzenkontakt-Germanium-Transistor; VS 200; Flächentransistor; Punktkontakt-Transistor; pn-Übergang; Massenproduktion; Czochralski-Verfahren; Legierungsverfahren; Germanium-Flächengleichrichter; DF 450; OC 110; OC 120; OC 130; DS 80; DS 601; VS 200; Intermetall - Gesellschaft für Metallurgie mbH; Clevite Corp.; SEL; Alcatel


Quelle(n)

  • Süddeutsche Apparate-Fabrik GmbH, Nürnberg. Die S.A.F. Nürnberg und ihr Werdegang 1875 - 1935, Nürnberg 1935
  • Georg Schöllhorn (Red.), Elektrotechnik in Nordbayern. Eine Dokumentation. 75 Jahre VDE-Bezirksverein Nordbayern e.V., Nürnberg 1986
  • Kai Handel, Anfänge der Halbleiterforschung und -entwicklung. Dargestellt an den Biographien von vier deutschen Halbleiterpionieren, Dissertation RWTH Aachen, Aachen 1999


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