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27.03.2010 Seite

GMM Fachausschuss 1.2 Einzelprozesse, Verfahren

Der Fachausschuss 1.2 beschäftigt sich mit den verfahrenstechnischen Aspekten der Halbleitertechnologie. Schwerpunkte dabei sind die Strukturerzeugung durch lithografische und ätztechnische Verfahren, die Dotierung durch Ionenimplantation und Diffusion, die Aktivierung implantierter Ionen, das Aufwachsen von SiO2 -Schichten durch Hochtemperaturprozesse, das Abscheiden von dielektrischen und leitfähigen Schichten sowie nicht zuletzt die Simulation all dieser Prozessschritte, um die Entwicklungsarbeiten zu beschleunigen und die Entwicklungskosten zu reduzieren.

Kontakt:

Dr.-Ing. Knut Gottfried

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