27.03.2010 Expertengruppe 1304 0

Mikro- und Nanoelektronik - Herstellung

FB1neu

In Deutschland ebenso wie in Europa werden bei weitem mehr Halbleiterbauelemente verwendet als hergestellt. Dadurch können sich unerwünschte Abhängigkeiten ergeben. Dies gilt besonders für kundenspezifische Schaltungen (ASICs), zu deren Fertigung viel Systemwissen offengelegt werden muss, auf dem der wirtschaftliche Erfolg der Anwender fußt. Der Fertigung komplexer Halbleiterschaltungen, der Beherrschung der Technologieschritte und deren Weiterentwicklung kommt somit strategische Bedeutung zu.

Im Fachbereich "Mikro- und Nanoelektronik - Herstellung" sind alle technologisch orientierten Arbeitsgebiete zusammengefasst. Dazu gehören auch produktions- und gerätetechnische Aspekte. Schwerpunkte im Fachausschuss 1.1 sind Grundsatzfragen zu Halbleiterfertigungsgeräten und Materialien, Automatisierung und Fertigungstechnik, ferner Themen zu Reinraumtechnik und Infrastruktur.

Der Fachausschuss 1.2 beschäftigt sich mit den verfahrenstechnischen Aspekten der Halbleitertechnologie. Schwerpunkte dabei sind die Strukturerzeugung durch lithografische und ätztechnische Verfahren, die Dotierung durch Ionenimplantation und Diffusion, die Aktivierung implantierter Ionen, das Aufwachsen von SiO2 -Schichten durch Hochtemperaturprozesse, das Abscheiden von dielektrischen und leitfähigen Schichten sowie nicht zuletzt die Simulation all dieser Prozessschritte, um die Entwicklungsarbeiten zu beschleunigen und die Entwicklungskosten zu reduzieren.

Neben den physikalischen Grundlagen wird im Fachausschuss 1.3 den Gesamtprozessen der CMOS- und der Bipolartechnik breiter Raum eingeräumt. Dabei ist es besonders wichtig, die Komplexität bei wachsender Integrationsdichte nicht mehr so stark wie bisher ansteigen zu lassen und durch möglichst stabile Prozesse höhere Ausbeuten und damit niedrigere Fertigungskosten zu erzielen.

In die Betrachtung werden auch die für hochfrequente und für lichtemittierende Anwendungen geeigneten III/V-Halbleiter mit einbezogen, ebenso das aktuelle Gebiet von Silizium-Germanium-Mischkristallen für CMOS und bipolare Anwendungen. Dabei spielt die Simulation ebenfalls eine wichtige Rolle.

Der Fachbereich 1 gliedert sich in die Fachausschüsse

1.1 - Produktion und Fertigungsgeräte: Halbleiterfertigungsgeräte und Materialien - Automatisierung - Yield Enhancement - Testequipment und -verfahren - Produktion Verfahren 1.2 - Verfahren: Lithographie - Ionenimplantation - Abscheide- und Ätzverfahren - Heißprozesse - Planarisierung, Prozesskontrolle,Nassprozesse 1.3 - Gesamtprozesse: Grundlagen und Nanobauelemente - CMOS - Bipolar/SiGe - III/V-Halbleiter - Simulation

Kontakt:

Dr. Ing. Anton Bauer

Das könnte Sie auch interessieren