27.03.2010 Expertengruppe 710 0

Mikro- und Nanoelektronik - Herstellung

FB1neu

In Deutschland ebenso wie in Europa werden bei weitem mehr Halbleiterbauelemente verwendet als hergestellt. Dadurch können sich unerwünschte Abhängigkeiten ergeben. Dies gilt besonders für kundenspezifische Schaltungen (ASICs), zu deren Fertigung viel Systemwissen offengelegt werden muss, auf dem der wirtschaftliche Erfolg der Anwender fußt. Der Fertigung komplexer Halbleiterschaltungen, der Beherrschung der Technologieschritte und deren Weiterentwicklung kommt somit strategische Bedeutung zu.

Im Fachbereich "Mikro- und Nanoelektronik - Herstellung" sind alle technologisch orientierten Arbeitsgebiete zusammengefasst. Dazu gehören auch produktions- und gerätetechnische Aspekte. Schwerpunkte im Fachausschuss 1.1 sind Grundsatzfragen zu Halbleiterfertigungsgeräten und Materialien, Automatisierung und Fertigungstechnik, ferner Themen zu Reinraumtechnik und Infrastruktur.

Der Fachausschuss 1.2 beschäftigt sich mit den verfahrenstechnischen Aspekten der Halbleitertechnologie. Schwerpunkte dabei sind die Strukturerzeugung durch lithografische und ätztechnische Verfahren, die Dotierung durch Ionenimplantation und Diffusion, die Aktivierung implantierter Ionen, das Aufwachsen von SiO2 -Schichten durch Hochtemperaturprozesse, das Abscheiden von dielektrischen und leitfähigen Schichten sowie nicht zuletzt die Simulation all dieser Prozessschritte, um die Entwicklungsarbeiten zu beschleunigen und die Entwicklungskosten zu reduzieren.

Neben den physikalischen Grundlagen wird im Fachausschuss 1.3 den Gesamtprozessen der CMOS- und der Bipolartechnik breiter Raum eingeräumt. Dabei ist es besonders wichtig, die Komplexität bei wachsender Integrationsdichte nicht mehr so stark wie bisher ansteigen zu lassen und durch möglichst stabile Prozesse höhere Ausbeuten und damit niedrigere Fertigungskosten zu erzielen.

In die Betrachtung werden auch die für hochfrequente und für lichtemittierende Anwendungen geeigneten III/V-Halbleiter mit einbezogen, ebenso das aktuelle Gebiet von Silizium-Germanium-Mischkristallen für CMOS und bipolare Anwendungen. Dabei spielt die Simulation ebenfalls eine wichtige Rolle.

Der Fachbereich 1 gliedert sich in die Fachausschüsse

1.1 - Produktion und Fertigungsgeräte: Halbleiterfertigungsgeräte und Materialien - Automatisierung - Yield Enhancement - Testequipment und -verfahren - Produktion Verfahren 1.2 - Verfahren: Lithographie - Ionenimplantation - Abscheide- und Ätzverfahren - Heißprozesse - Planarisierung, Prozesskontrolle,Nassprozesse 1.3 - Gesamtprozesse: Grundlagen und Nanobauelemente - CMOS - Bipolar/SiGe - III/V-Halbleiter - Simulation

Kontakt:

Leiter des Fachbereichs 1

Professor Lothar Frey
Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und
Bauelementetechnologien IISB
Schottkystraße 10
91058 Erlangen

Tel.: 09131 852 8634
E-Mail: lothar.frey@iisb.fraunhofer.de

Fachbereich 1

GMM User Group Yield Enhancement

 

This User group was founded 2004 and is organized within the GMM expert committee                                                                                                                         

1.1.3 "Production and Manufacturing Equipment - Yield Enhancement".


The scope of the User Group is to provide a platform for discussion and exchange on yield enhancement in semiconductor manufacturing. Discussion topics range from defect engineering methods, yield correlation to process stability. The once a year meeting is open to European semiconductor manufacturing sites for discussion and information exchange of managers, engineers, and scientists.
In advance of each workshop, the members of the User Group will define the two topics of discussion for the next meeting. Examples of those topics are : Wafer edge and backside engineering, Defect Equipment Monitoring, Zero defect strategy,…..

Each company attending is asked to hold a short presentation on one of the two selected topics. The exchange of presentations, however, is not required.
In addition a tool discussion session takes place as well within this 2 day workshop. In this session each company shares their experiences on a particular tool without a formal presentation but an intense discussion and exchange. The focus of the meeting is clearly on open technical discussions and informal information exchange.
The number of participants per company is not limited in order to give  also new defect and yield engineers  the chance to participate and learn from the whole European community of experts.

The User group is lead and moderated by M. Häuser, Infineon and I. Thurner, Convanit.

If you are interested to participate or if you need further information please feel free to contact:

Ines Thurner, ines.thurner@convanit.com

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